material 版 (精华区)

发信人: ziyunlong (Zenith), 信区: material
标  题: [合集] 为什么氧空位进来会增大电子有效质量？
发信站: BBS 听涛站 (Sun Jun 21 13:24:18 2009), 站内

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   yanjy05 (只争朝夕) 于  (Mon Jan 12 23:02:34 2009)  提到:

作热电的同学说的。
我的思路：有效质量直接由能带结构决定，那么引入氧空位是改变了局域能带结构引起平均有效质量变化么？
热电的书不专讲能带，讲能带的书也没找到答案……



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   doomsday (自强不息 厚德载物) 于  (Mon Jan 12 23:06:12 2009)  提到:

泛泛的应该是这样
不过针对具体材料应该有具体的解释吧，查查文献
【 在 yanjy05 (只争朝夕) 的大作中提到: 】
: 作热电的同学说的。
: 我的思路：有效质量直接由能带结构决定，那么引入氧空位是改变了局域能带结构引起平均有效质量变化么？
: 热电的书不专讲能带，讲能带的书也没找到答案……
: ...................



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   weidan (灵) 于  (Mon Jan 12 23:23:11 2009)  提到:

电子有效质量是跟电子感受到的电势的起伏程度有关的

如果电势毫无起伏，那么m*=me；起伏越大，m*应该越大

氧空位的引入显然加剧了电势的起伏，因此m*应该增大的



【 在 yanjy05 (只争朝夕) 的大作中提到: 】
: 作热电的同学说的。
: 我的思路：有效质量直接由能带结构决定，那么引入氧空位是改变了局域能带结构引起平均有效质量变化么？
: 热电的书不专讲能带，讲能带的书也没找到答案……
: ...................



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   ziyunlong (Zenith) 于  (Mon Jan 12 23:28:02 2009)  提到:

就是曲率有关？

那几乎引入什么都会增大m*么？
【 在 weidan (灵) 的大作中提到: 】
: 电子有效质量是跟电子感受到的电势的起伏程度有关的
: 如果电势毫无起伏，那么m*=me；起伏越大，m*应该越大
: 氧空位的引入显然加剧了电势的起伏，因此m*应该增大的
: ...................



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   weidan (灵) 于  (Mon Jan 12 23:31:34 2009)  提到:

是啊，碱金属的m*最接近me，就是因为其中的电子感受到的电势最弱

这个电势的起伏，用数学语言来说，就是U(r)的傅立叶系数（分立的），
即使引入的缺陷导致电势起伏不规则，但是傅立叶系数还是会增加的

btw，斑竹手好快啊，谢谢m了 ^^



【 在 ziyunlong (Zenith) 的大作中提到: 】
: 就是曲率有关？
: 那几乎引入什么都会增大m*么？




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   ziyunlong (Zenith) 于  (Mon Jan 12 23:32:47 2009)  提到:

呵呵，正好看到了而已。

谢~
【 在 weidan (灵) 的大作中提到: 】
: 是啊，碱金属的m*最接近me，就是因为其中的电子感受到的电势最弱
: 这个电势的起伏，用数学语言来说，就是U(r)的傅立叶系数（分立的），
: 即使引入的缺陷导致电势起伏不规则，但是傅立叶系数还是会增加的
: ...................



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   yanjy05 (只争朝夕) 于  (Mon Jan 12 23:56:01 2009)  提到:


【 在 weidan (灵) 的大作中提到: 】
: 电子有效质量是跟电子感受到的电势的起伏程度有关的
: 如果电势毫无起伏，那么m*=me；起伏越大，m*应该越大
好像是讲过的，不记得了>.<
: 氧空位的引入显然加剧了电势的起伏，因此m*应该增大的
: ...................



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   yanjy05 (只争朝夕) 于  (Mon Jan 12 23:56:44 2009)  提到:


【 在 weidan (灵) 的大作中提到: 】
: 是啊，碱金属的m*最接近me，就是因为其中的电子感受到的电势最弱
: 这个电势的起伏，用数学语言来说，就是U(r)的傅立叶系数（分立的），
: 即使引入的缺陷导致电势起伏不规则，但是傅立叶系数还是会增加的
我对Fourier变换理解的还很不深刻……谢韦师^^
: ...................



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   doomsday (自强不息 厚德载物) 于  (Tue Jan 13 00:32:28 2009)  提到:


【 在 weidan (灵) 的大作中提到: 】
: 电子有效质量是跟电子感受到的电势的起伏程度有关的
                              ～～～～～这个说的是正空间？缺陷虽然在正空间内加剧了起伏，但是只相当于某一些特殊Fourier分量的加强，对带边结构的影响好像比较复杂
: 如果电势毫无起伏，那么m*=me；起伏越大，m*应该越大
                              ～～～～～～～～～～～那为什么许多半导体的导带有效质量都明显小于m_e呢？
: 氧空位的引入显然加剧了电势的起伏，因此m*应该增大的
: ...................



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   weidan (灵) 于  (Tue Jan 13 06:29:32 2009)  提到:

半导体导带有效质量很小是跟金刚石结构、共价键特性有关的

很多氧化物都是立方晶系的，那么m*随缺陷增加而增长是对的

电势起伏是指正空间，傅立叶分量的变化与带边结构从细节上
来说是很复杂，这个不做仔细研究也是不能完全确定的。



【 在 doomsday (自强不息 厚德载物) 的大作中提到: 】
:                               ～～～～～这个说的是正空间？缺陷虽然在正空间内加剧了起伏，但是只相当于某一些特殊Fourier分量的加强，对带边结构的影响好像比较复杂
:                               ～～～～～～～～～～～那为什么许多半导体的导带有效质量都明显小于m_e呢？