material 版 (精华区)

发信人: haha (等待...), 信区: material
标  题: 材料的世界--Compound Semiconductors
发信站: 听涛站 (Mon Dec  4 15:26:07 2000), 转信

※ 来源:·BBS 水木清华站 bbs.net.tsinghua.edu.cn·[FROM: M2-225-12.MIT.E]
发信人: stranger (???), 信区: Materials
标  题: 材料的世界--Compound Semiconductors
发信站: BBS 水木清华站 (Fri Jan 24 01:39:30 1997)

Compound Semiconductors

In addition to the pure element semiconductors, very many alloys and
compounds are semiconductors. These may be formed from
semiconducting or non-semiconducting elements. Copper oxide is the
oldest semiconductor in commercial use, in copper-copper oxide
rectifiers, although their operation is still inadequately understood.

The particular advantage of compounds is that they provide the device
engineer with a wide range of energy gaps and mobilities, so that
materials are available with properties which match exactly specific
requirements. Some compounds are particularly important in that they
have high mobilities. The compound bismuth telluride is the most
successful material for thermoelectric devices.

One of the most important classes of compounds is the III-V compounds,
formed of elements from Groups IIIB and VB of the Periodic Table.
Typical examples are InSb, AlP and GaAs. The latter is one of the most
versatile and useful semiconductors, being used in many devices including
lasers.

Gallium Arsenide (GaAs) has a zinc-blende structure
                  , which is a superstructure of the diamond
structures. GaAs are among the most efficient detectors of X-rays at room
temperature. GaAs has a much larger detector efficiency than silicon.
Therefore, in radiography application, this kind of detector means an
important reduction of the dose to the patient. GaAs also has a very
important quality that Si does not have and that is the ability to emit light.

Power electronic applications such as inverters, choppers, and switching
power supplies need materials such as compound semiconductors with
super electronic, optical, mechanical and chemical properties. GaAs is one
of the materials that could be used for future power semiconductor
devices. The three fundamental quantities essential for power devices are
breakdown field, average carrier velocity and thermal conductivity. All
these quantities are superior in GaAs except for thermal conductivity.
Large-scale production of GaAs integrated circuits is however more
difficult than for Si.
  
--
be be active everyday.

※ 来源:.听涛站 cces.net.[FROM: 匿名天使的家]
[百宝箱] [返回首页] [上级目录] [根目录] [返回顶部] [刷新] [返回]
Powered by KBS BBS 2.0 (http://dev.kcn.cn)
页面执行时间:1.237毫秒