material 版 (精华区)

发信人: ZhouHui (cpu!ccppuu!), 信区: material
标  题:   AMF,STM,SEM,TEM
发信站: 听涛站 (Sat Mar 24 17:22:23 2001), 转信

Comparison of AFM and other imaging techniques
------------------------------------------------------------------------
----
----
1. AFM versus STM:
It's interesting to compare AFM and its precursor -- Scanning
Tunneling Microscope. In some cases, the resolution of STM is better than AFM
because of the exponential dependence of the tunneling current on distance. The
force-distance dependence in AFM is much more complex when characteristics
such as tip shape and contact force are considered. STM is generally applicable
only to conducting samples while AFM is applied to both conductors and
insulators. In terms of versatility, needless to say, the AFM wins. Furthermo
re,
the AFM offers the advantage that the writing voltage and tip-to-substrate
spacing can be controlled independently, whereas with STM the two parameters
are integrally linked.
2. AFM versus SEM:
Compared with Scanning Electron Microscope, AFM provides extraordinary
topographic contrast direct height measurements and unobscured views of
surface features (no coating is necessary).
3. AFM versus TEM:
Compared with Transmission Electron Microscopes, three dimensional AFM
images are obtained without expensive sample preparation and yield far more
complete information than the two dimensional profiles available from
cross-sectioned samples.
4. AFM versus Optical Microscope:
Compared with Optical Interferometric Microscope (optical profiles), the
 AFM provides unambiguous measurement of step heights, independent of
reflectivity differences between materials. 
--
古人云：言多必失

※ 来源:．听涛站 cces.net．[FROM: 匿名天使的家]