material 版 (精华区)

发信人: rogueman (阿瑟), 信区: material
标  题: 我一个学期的心血
发信站: 听涛站 (Sun Jun 18 18:38:23 2000), 转信


-四 实验结论
从以上的研究结果可以看出，用Ti作为LiZn铁氧体的组成成分，能够比较均匀的提高晶
粒尺寸，对于磁性能则提高铁氧体的磁道率，并且改善铁氧体的频率特性，使材料的电
阻率有所提高。
用Bi作为LiZnTi铁氧体的助烧剂，可以大幅度的降低材料的烧结温度，还大大地改进了
材料的磁性能。XRD的结果表明，Bi的引入，并没有引起LiZn铁氧体相结构的变化，因此
，Bi对铁氧体材料性能的改进不是在晶格层次上对材料磁结构的调整，而是在显微结构
上通过Bi的助熔作用改变铁氧体晶粒的形态和引入新的晶界相来实现的。显微照片显示
， Bi2O3的掺杂，一方面使铁氧体烧结更加致密，一方面使晶粒长大，气孔减少，晶界
相增加。
V作为LiZn铁氧体的助烧剂，同样大幅度的降低材料的烧结温度。通过XRD的分析，V的引
入，没有引起材料相结构的变化，V对铁氧体性能的改变是通过改变铁氧体晶粒的形态来
实现的。少量V的加入，能够大幅度提升材料的磁导率，但是掺杂量达到一定程度时，材
料的磁导率大幅度的下降，甚至还不如不加助烧剂的磁导率。显微结果显示，V掺杂量达
到一定程度时，铁氧体内部的气孔大大增加，导致磁导率和致密度的下降。
用Bi和V的混合掺杂能够在一定的程度上改善单助烧剂掺杂的缺陷。一方面它使材料烧结
致密，晶粒均匀，提高了可靠性，而且对磁导率的提高幅度也比单助烧剂提高的幅度高
。观察和对比上述三种掺杂方式，Bi和V混合掺杂的温谱曲线也明显优于单助烧剂掺杂。

LiZn铁氧体作为一种软磁材料，其磁化的微观机制以畴壁的位移为主。材料的气孔作为
阻碍畴壁位移的主要来源，同时晶粒和晶界的尺寸也强烈影响畴壁位移的过程。Bi的加
入，使材料的气孔率大幅度降低，同时使晶粒长大，这些都有利于畴壁的移动，使材料
的磁性能大大提高。但是Bi的加入量越多，非磁性的晶界也越宽，这一点阻碍了磁性能
的进一步提高。少量V的加入，能够提高材料的致密度，使晶粒均匀长大，这些有利于畴
壁的移动，使磁导率升高，随着V的增加，气体挥发增多，气孔率大大增加，强烈的阻碍
了畴壁的移动，使磁导率急速下降。而二者的混合掺杂，则综合了二者的优点。Bi的加
入，抑制了气孔的增加，而V掺杂则抑制了非磁性晶界的加宽，因此，混合掺杂得到样品
的磁导率比单独掺杂磁导率要高一些。
畴壁阻力减小的另一结果是畴壁共振能量的变低，由此截止频率有所降低。因此在材料
组分不变的情况下，改变助烧剂所导致的磁导率升高，一般都伴随着截止频率的降低。

Co改变材料的磁性能，是通过用Co原子取代尖晶石相中铁原子的位置来实现的。XRD分析
表明，Co2O3成分的引入，引起了相结构的微小变化。Co含量越多，磁导率越低，相应的
，截止频率升高。
-
平凡是福，平淡是真

※ 来源:．听涛站 cces.net．[FROM: 匿名天使的家]