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发信人: xiaogua (小瓜), 信区: material
标题: 留美中国专家发现并合成“纳米带“
发信站: 听涛站 (Tue Apr 10 10:08:46 2001), 转信

　　美国亚特兰大佐治亚理工学院的三位中国科学家在世界上首次发现并合成半导体氧
化物纳米带状结构，这是纳米材料合成领域的又一重大突破。
　　这三位中国科学家是佐治亚理工学院纳米科学和技术中心主任王中林教授、潘正伟
博士和戴祖荣博士。
　　王中林教授等人利用高温固体气相法，成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化
镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、
表面干净，并且内部无缺陷、无位错，是一理想的单晶线型薄片结构。
　　“纳米带”的横截面是一个窄矩型结构，带宽为30至300纳米，厚5至10纳米，而长
度可达几毫米。和碳纳米管以及硅和复合半导体线状结构相比，“纳米带”是迄今唯一
被发现具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构，而且具有比碳纳米管更独
特和优越的结构和物理性能。
　　纳米管比钢硬，导电性很强，这些特点使它成为20世纪90年代中期以来纳米科学研
究的宠儿。但碳纳米管在广泛应用时却面临一个严重的障碍：它在大量生产时会出现缺
陷，而稳定性是电子设备所必须的。
　　王教授指出：“任何纳米材料中的缺陷都会严重影响其电子和机械性能，当电流通
过由这些纳米材料制成的元件时，会引起元件发热。如果把这些元件以非常高的密度放
入小型设备中，过热可能会最终导致整个系统失控。”
　　“纳米带”虽然缺少柱形纳米管所具有的高结构力，但其生产过程简单而可控，大
量生产时能够保证材料结构统一，基本没有缺陷。
　　中国研究人员的论文将发表在3月9日出版的美国《科学》杂志上。

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※ 来源:．听涛站 cces.net．[FROM: 匿名天使的家]

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